設(shè)備概況

RTP快速退火爐作為芯片制造環(huán)節(jié)中的重要工藝之一。RTP利用紅外燈管熱輻射加熱技術(shù)，在幾秒時(shí)間內(nèi)（20~130℃/秒）實(shí)現(xiàn)晶圓的快速升溫退火和尖峰退火工藝；通過退火處理，可以使材料得到修復(fù)，結(jié)晶體內(nèi)部重新排列，去除缺陷和雜質(zhì)，恢復(fù)晶格完整，提高電導(dǎo)率。

課題

1. 如何實(shí)現(xiàn)多路高速同步升溫控制，且超調(diào)小于10℃和震蕩小于10秒？

2. 如何實(shí)現(xiàn)TC-WAAFER多點(diǎn)測溫溫度均一性小于10℃？

解決方案

通過多物理場建模仿真，創(chuàng)新權(quán)重系數(shù)分配算法，最終實(shí)現(xiàn)了150℃/S的高速同步升溫且無超調(diào)和溫度均一性小于10℃的最優(yōu)控制效果。

系統(tǒng)配置

在傳統(tǒng)PID控制的基礎(chǔ)上，創(chuàng)新權(quán)重分配算法，實(shí)現(xiàn)高速同步升溫控制。

實(shí)現(xiàn)價(jià)值

【經(jīng)營層】

■ 賦能客戶完成RTP退火爐自主研發(fā)，助力高端熱工裝備進(jìn)階。

【業(yè)務(wù)層】

■ 協(xié)同客戶完成溫控技術(shù)升級，推動能效與精度突破。

【現(xiàn)場層】

■ 實(shí)現(xiàn)多路高速同步升溫控制，且超調(diào)小于10℃和震蕩小于10秒，TC-WAAFER多點(diǎn)測溫溫度均一性小于10℃。

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