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應(yīng)用設(shè)計(jì)

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案例分享 | ifm智能傳感體系助力半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)實(shí)現(xiàn)工藝透明化

案例分享 | ifm智能傳感體系助力半導(dǎo)體單晶生長(zhǎng)實(shí)現(xiàn)工藝透明化

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#半導(dǎo)體 單晶的生長(zhǎng),本身就是"慢工出細(xì)活"。籽晶在超高溫中緩緩提拉、冷卻、成型,整個(gè)過(guò)程往往持續(xù)數(shù)周。任何一次未被察覺(jué)的偏移,都足以讓整爐產(chǎn)品報(bào)廢。

PVA TePla是全球領(lǐng)先的設(shè)備供應(yīng)商,其高科技系統(tǒng)在半導(dǎo)體行業(yè)備受青睞。為確保每個(gè)關(guān)鍵參數(shù)始終受控,PVA TePla在系統(tǒng)中引入#ifm 的IO-Link智能產(chǎn)品組合,構(gòu)建貫穿全程的監(jiān)測(cè)體系,以可靠數(shù)據(jù)支撐這場(chǎng)長(zhǎng)周期的精密制造。

Q、為什么選擇IO-Link?

PVA TePla的晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)通常大量部署于生產(chǎn)車間,物料裝卸多為全自動(dòng)化,這就要求設(shè)備必須與上層管理系統(tǒng)通信,讓操作人員隨時(shí)集中監(jiān)控工藝狀態(tài)。

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IO-Link作為獨(dú)立于制造商的數(shù)字傳感器通信標(biāo)準(zhǔn),恰好滿足了這一需求:相比傳統(tǒng)二進(jìn)制和模擬接口,它能傳輸高分辨率過(guò)程值與全面診斷信息,提供標(biāo)準(zhǔn)化數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu),減少布線工作量,并與控制系統(tǒng)無(wú)縫集成。

該技術(shù)支持單個(gè)設(shè)備傳輸多個(gè)測(cè)量值,配合事件驅(qū)動(dòng)的診斷功能和遠(yuǎn)程參數(shù)設(shè)置,不僅提升系統(tǒng)透明度、優(yōu)化維護(hù)策略,也在調(diào)試和運(yùn)營(yíng)環(huán)節(jié)帶來(lái)了可量化的成本節(jié)約。

01 應(yīng)用一:碳化硅晶體生長(zhǎng)

碳化硅(SiC)能承受極高的功率密度,這意味著在保持功率輸出不變的前提下,電池設(shè)計(jì)可以做得更緊湊,由此帶來(lái)的減重效果對(duì)電動(dòng)汽車應(yīng)用尤為關(guān)鍵。集團(tuán)在晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域深耕數(shù)十年,碳化硅正是其核心方向之一。

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碳化硅晶片:唯有精確控制工藝參數(shù),方能確保所需的質(zhì)量

 工藝挑戰(zhàn) 

超高溫工藝下的冷卻監(jiān)測(cè)需求

為生產(chǎn)碳化硅晶體,PVA TePla專門(mén)開(kāi)發(fā)了基于物理氣相傳輸法(PVT)運(yùn)行的SiCma系統(tǒng)。在該工藝中,碳化硅粉末混合物在約2300°C的石墨坩堝中升華,并沉積到籽晶上形成晶錠。晶體生長(zhǎng)全程需要對(duì)工藝腔室內(nèi)的溫度和壓力實(shí)施不間斷的精密調(diào)控。

 ifm解決方案 

冷卻回路監(jiān)控與狀態(tài)可視化

基于IO-Link架構(gòu),PVA TePla在SiCma系統(tǒng)中部署了以下ifm智能傳感器組合:

●渦街流量計(jì)SV4200:實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并保持冷卻水流量的恒定,兼顧工藝溫度穩(wěn)定與設(shè)備防過(guò)熱保護(hù)。

●壓力傳感器PV8000:同步采集冷卻水供回水壓力與溫度,經(jīng)由IO-Link實(shí)時(shí)傳輸,保障波動(dòng)響應(yīng)的及時(shí)性。

●IO-Link主站AL1202:收集所有傳感器數(shù)據(jù)并上傳至中央系統(tǒng)供分析評(píng)估。

●DV信號(hào)燈:通過(guò)IO-Link主站控制,為操作人員提供當(dāng)前工藝狀態(tài)的直觀指示。

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IO-Link主站(上方)集中采集壓力(中間前方)與流量(左下方)傳感器數(shù)據(jù)并上傳

DV信號(hào)燈可視化反饋當(dāng)前工藝狀態(tài)

基于上述監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù),PVA TePla正積極開(kāi)發(fā)預(yù)測(cè)性維護(hù)方案,及早識(shí)別潛在隱患,確保品質(zhì)穩(wěn)定與設(shè)備高可用。

02 應(yīng)用二:柴氏法硅晶體生長(zhǎng)

 工藝挑戰(zhàn) 

提拉平穩(wěn)性決定晶錠品質(zhì)

在柴氏法硅晶體生長(zhǎng)工藝中,籽晶從約1400°C的熔融硅中被緩慢提拉,最終形成長(zhǎng)達(dá)3.50米的硅錠。這類晶圓是半導(dǎo)體行業(yè)中多種電子元器件的基礎(chǔ)材料,其品質(zhì)直接取決于提拉階段驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的平穩(wěn)性。

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此系統(tǒng)通過(guò)“提拉”法制成長(zhǎng)達(dá)3.5米的硅錠,用于晶圓生產(chǎn)

 ifm解決方案 

冷卻監(jiān)測(cè)與三軸振動(dòng)分析

在SC32系統(tǒng)中,PVA TePla采用IO-Link與Profinet協(xié)同的自動(dòng)化架構(gòu),在需要獲取更豐富現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)時(shí)優(yōu)先通過(guò)IO-Link傳輸。

電磁流量計(jì)SM8000用于監(jiān)控冷卻回路,同步采集介質(zhì)流量與溫度兩項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù),確保工藝熱平衡始終處于受控狀態(tài)。

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與此同時(shí),兩臺(tái)工藝驅(qū)動(dòng)裝置由VVB3系列三軸振動(dòng)傳感器實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。該傳感器覆蓋三個(gè)測(cè)量軸向,自動(dòng)計(jì)算狀態(tài)指標(biāo),并將疲勞、摩擦、沖擊及軸承磨損等診斷信息通過(guò)IO-Link高效上傳。

“

“晶錠質(zhì)量對(duì)提拉過(guò)程的振動(dòng)水平極為敏感。借助傳感器數(shù)據(jù),我們能夠精準(zhǔn)掌握齒輪裝置與驅(qū)動(dòng)軸的運(yùn)行狀態(tài),從而在最佳時(shí)機(jī)安排預(yù)防性維護(hù)。”

Lukas Ewert

PVA CGS電氣設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人

03 應(yīng)用三:擴(kuò)散連接技術(shù)

 工藝挑戰(zhàn) 

長(zhǎng)周期工藝的系統(tǒng)防過(guò)熱

應(yīng)用于半導(dǎo)體冷卻板制造的擴(kuò)散連接工藝,對(duì)成品的強(qiáng)度與耐腐蝕性要求極高。在長(zhǎng)達(dá)數(shù)周的過(guò)程中,溫度、壓力、真空度和作用力等多項(xiàng)參數(shù)必須全程精準(zhǔn)受控。

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此設(shè)備通過(guò)高壓將各層壓材料壓合在一起,形成一個(gè)整體結(jié)構(gòu)

 ifm解決方案 

流量監(jiān)測(cè)與即插即用部署

為確保系統(tǒng)在全工藝周期內(nèi)不因過(guò)熱偏離安全窗口,PVA TePla借助ifm流量傳感器實(shí)時(shí)追蹤冷卻回路狀態(tài)。該方案的另一優(yōu)勢(shì)在于易用性:傳感器自帶清晰的狀態(tài)指示燈,方便操作人員快速確認(rèn)設(shè)備狀況。同時(shí),設(shè)備支持舊產(chǎn)線便捷加裝,即插即用,大幅簡(jiǎn)化運(yùn)維流程,降低培訓(xùn)要求。

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對(duì)PVA TePla而言,ifm遠(yuǎn)不止于硬件供應(yīng)商。雙方保持著長(zhǎng)期且直接的協(xié)作——遇到問(wèn)題隨時(shí)對(duì)接,共同推進(jìn)自動(dòng)化創(chuàng)新。在工藝要求逼近極限的高科技材料制造領(lǐng)域,這份默契讓先進(jìn)晶體生長(zhǎng)的各項(xiàng)挑戰(zhàn)得以從容應(yīng)對(duì)。

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審核編輯(
王靜
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